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  • 平澤P2新廠啟動,三星產能將大增,DRAM和NAND產業供需面臨挑戰!

    三星宣布位于韓國平澤市的第二條生產線(P2工廠)已開始導入極紫外(EUV)技術批量生產16 Gb LPDDR5。新16Gb LPDDR5采用的是三星第三代10nm級(1znm)工藝為基礎,擁有更高容量和更高性能,能夠滿足下一代智能手機中5G和AI功能的應用。



    三星DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示:“基于1znm 16Gb LPDDR5將行業標準提升到一個新的門檻,克服了更高節點上DRAM擴展的瓶頸。隨著整個DRAM市場的增長,將繼續擴大高容量DRAM產品陣容,滿足客戶的需求量?!?/span>

     

    三星1Znm 16Gb LPDDR5容量增加33%,速度提高16%


    三星量產的16Gb LPDDR5首次導入EUV工藝,基于1znm制程技術,更先進的技術相較于12Gb容量提升了33%,封裝的厚度也薄了30%,有助于滿足5G、多攝像頭以及可折疊智能手機將更多功能整合到設備中,滿足對更大容量的需求。

     

    三星新16Gb LPDDR5擁有6400 Mb/s的速度,比當今大多數旗艦移動設備中搭載的12Gb LPDDR5(5500Mb/s)快約16%。若生產16GB容量LPDDR5僅需8個16Gb芯片進行封裝,而基于1ynm則需要12個(8個12Gb芯片和4個8Gb芯片)芯片,新技術在同等容量上成本將更低。


     

    隨著5G手機不斷上市,當前主流高端旗艦機已標配LPDDR5,且高配容量已升級到12GB,隨著三星基于新技術封裝成16GB容量LPDDR5的量產增加,將可推動高端旗艦機向更高容量升級,屆時可以在一秒鐘內傳輸約10個5GB大小的全高清電影或51.2GB的數據。

     

    三星表示,基于1znm制程技術和EUV工藝,計劃在2021年進一步加強LPDDR5在旗艦機中的應用,同時還將把LPDDR5產品擴大溫度范圍,以滿足極端環境中嚴格的安全性和可靠性標準,將LPDDR5擴展到汽車中應用。

     

    繼DRAM之后,三星P2新廠將在2021下半年量產下一代V-NAND芯片


    三星聲稱平澤P2工廠是迄今為止規模最大的半導體生產線,新的平澤生產線將成為業界最先進的半導體技術重要制造中心,將制造最先進的DRAM和下一代V-NAND和晶圓代工,鞏固公司領導地位。

     

    三星在P2工廠除了導入EUV工藝量產1znm 16 Gb LPDDR5,已投資8兆韓元正在建設NAND Flash產線,計劃2021下半年開始量產先進的V-NAND芯片,以滿足不斷增長的數據中心和智能手機存儲需求。

     

    另據之前消息稱,三星還準備在平澤市建設P3工廠,計劃在9月開始建設,該工廠的生產制造規模要比P2工廠更大,根據一般Fab工廠建筑完工大約需要一年,預計P3工廠將在2021年Q3竣工,投入量產時間將從2021年底開始,至于新工廠建成后具體投產計劃尚未確定,需根據市場需求變化而決定。

     

    行業競爭激烈,三星持續加碼投資,穩固領先地位迫在眉睫


    雖然受全球“疫情”影響,2020下半年數據中心、企業等領域需求降溫,手機出貨也面臨下滑窘境,使得短期存儲產業受挫,但是在數據中心、5G、人工智能等技術推動下,未來存儲產業前景可觀,這也是三星加碼投資的主要原因之一。


    其次,以長江存儲和長鑫存儲為代表的中國存儲企業在技術上已有重大突破,同時也在整合上下游資源加強在市場上的布局。作為存儲領導企業的三星,勢必要加快技術的升級和產能的擴充,以穩固在市場上的領先地位。

     

    隨著三星平澤新P2工廠投產,再加上位于中國西安二期第一階段新工廠在Q3實現產能滿載,以及正在新建的西安二期第二階段計劃在2021年年中投產,代表未來2年內三星DRAM和NAND Flash產能將大增,勢必會增加業內人士對產業供應過剩的擔憂。

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